兆易创新GD25/55全系列车规级SPI <span style='color:red'>NOR Flash</span>荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书
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兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书

　　兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布，旗下GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash获得由国际公认的测试、检验和认证机构SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证证书。这一成就不仅有力印证了GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash在严苛汽车应用场景中的卓越安全性能和可靠性，也进一步巩固了公司在SPI NOR Flash领域的领导地位。　　随着汽车电子电气组件数量的指数级增长，其安全性需求日益凸显。ISO 26262作为国际权威汽车功能安全标准，其核心目标是降低汽车电子电气系统可能导致的风险，确保车辆的安全性能。在ISO 26262标准框架下，ASIL(Automotive Safety Integration Level)分类系统将功能安全从低到高分为四个等级：A、B、C、D，其中，D代表最高等级，意味着在该等级下的开发流程最为严格。　　兆易创新在汽车电子领域始终坚持精耕细作，将产品品质视为企业发展的核心。质量建设方面，车规级Flash以0PPM为目标，并持续推进质量改善，赢得了客户的广泛信赖，目前全球出货量已超两亿颗。功能安全建设方面，兆易创新全面强化了流程体系与人员管理，不断提升功能安全管理水平，继2023年通过ISO 26262 ASIL D流程认证之后，公司的车规级SPI NOR Flash再次获得ASIL D功能安全认证，充分展示出兆易创新已经建立起严格的车规芯片开发流程体系，并在此基础上已具备设计符合功能安全标准产品的成熟能力。　　GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash，严格遵循AEC-Q100 Grade1标准，采用55nm/45nm制程工艺，支持3V、1.8V以及1.65V~3.6V工作电压，容量覆盖2Mb~2Gb，可全面满足汽车电子所需的代码存储需求。在读写性能方面，可提供单通道、双通道、四通道和八通道通信模式，数据吞吐率最高达400MB/s，保证了高效的数据传输。同时，产品拥有10万次擦写周期，以及长达20年的数据保持期限。在安全性能方面，64Mb及以上容量的产品内置ECC算法与CRC校验功能，在提高可靠性的同时有助于延长产品的使用寿命。目前，GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash已广泛服务于众多国内外汽车制造商和Tier 1，应用领域横跨车载娱乐影音、智能座舱、智能网联、智能驾驶、电池管理、域控制器、中央计算、中央网关、区域控制器等多个关键汽车电子应用场景。　　兆易创新副总裁、存储器事业部总经理苏如伟表示：“NOR Flash作为汽车电子存储关键代码的重要介质，其功能安全性对于保障数据在极端环境下的可靠性和完整性至关重要，并且直接关系到车辆的安全、稳定运行。兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash通过ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证，充分印证了公司在车规级芯片设计领域的强劲实力。未来，公司还将继续秉承汽车功能安全的高标准，严格遵守相关流程规范，为全球客户提供更多高品质、高可靠性的车规级存储产品。”
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发布时间：2024-11-22 09:56 阅读量：445 继续阅读>>
佰维存储推出自研工规级SPI <span style='color:red'>NOR Flash</span>
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佰维存储推出自研工规级SPI NOR Flash

　　近日，佰维存储(股票代码：688525)推出了自研工规级宽温SPI NOR Flash产品——TGN298系列。产品支持单通道、双通道、四通道SPI接口，数据吞吐量高达480Mb/s，容量高达128Mb，写入/擦除次数达10万次，广泛适用于对高速读取性能、高可靠性和长寿命有严格要求的应用场景，覆盖工业应用、车载应用、影音娱乐、智能家居等领域。　　高速读取性能：数据吞吐量高达480Mb/s，时钟频率高达120MHz　　随着汽车系统集成度不断提升，各类传感器与MCU的广泛应用对车载功能单元的数据与程序存储均提出更高性能、更低延迟要求。具体而言，汽车熄火驻车后，主控电子系统随即关闭，再次启动时，ADAS系统界面需迅速呈现，要求SPI NOR Flash具备快速读取代码的能力，以确保系统即时响应。同时，随着车载、工业、智能家居等领域应用的不断扩展，代码量与复杂度不断提升，对SPI NOR Flash的存储容量提出更大需求。　　TGN298系列由佰维自主研发设计，产品支持标准、双通道与四通道SPI接口，数据吞吐量高达480Mb/s，时钟频率高达120MHz，满足XIP在内的先进功能需求，加速设备系统启动和响应。此外，闪存被整理为4KB的小扇区，在需要代码、数据和参数存储的应用中提供更大的灵活性与存储效率。　　在封装方面，TGN298系列可提供SOP8 208mil、SOP8 150mil、TSSOP8 173mil、WSON8 (6×5mm)、 WSON8 (8×6mm)等多种封装规格，拥有32Mb、64Mb、128Mb容量选择(未来将推出车规级大容量产品)，同时产品pin-to-pin兼容，允许不更改现有设计来增加存储容量，满足设备更大代码存储空间需求。　　高可靠性：写入/擦除次数达10万次，支持-40℃~85℃宽温工作　　工业、车载等领域的设备在特殊工作环境下运行，包括高低温运行、至少保证10年以上寿命等，相应的SPI NOR Flash必须遵循严格的工业级标准，具备高可靠性。　　TGN298系列采用了55nm制程工艺，写入/擦除次数(P/E Cycle)达10万次，数据有效保存期限可达20年，同时产品支持-40℃~85℃宽温工作环境以及2.7V~3.6V工作电压，关断电流低至 1μA，从容应对各种复杂环境，有效保障设备持久、可靠运行。此外，产品支持唯一ID、安全的OTP、安全存储等多种安全功能，可为OTA更新和设备身份验证等操作提供高规格防护，确保高安全性。　　此外，TGN298系列依托贯穿产品全生命周期管理的品质管控、BOM锁定与完善的服务保障体系，可提供稳定的供货保障(≥5年)，以及实时的FAE技术支持、特定应用开发等服务，助力产品与终端设备系统深度融合，实现最佳效能与价值最大化。　　TGN298系列工规级宽温SPI NOR Flash产品兼顾高速读取、高可靠等优势，满足设备系统对快速启动、瞬时用户交互、即时指令响应的严苛要求。随着设备升级迭代，以及边缘侧和终端AI设备等新应用不断扩展，需要在更短时间内高效完成关键代码与数据访问。佰维存储依托自身存储解决方案研发、芯片设计等核心能力，持续开发更高性能、更大容量、更高可靠性与更低功耗的SPI NOR Flash等产品，护航工业、车规、AI、物联网、手机、智能穿戴等领域设备高效稳定运行，赋能万物智联。　　目前，佰维TGN298系列SPI NOR Flash产品已实现量产，欢迎新老客户垂询。
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发布时间：2024-05-16 09:13 阅读量：831 继续阅读>>
更小、更薄、更轻！兆易创新超小尺寸3x3x0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI <span style='color:red'>NOR Flash</span>面世！
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更小、更薄、更轻！兆易创新超小尺寸3x3x0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash面世！

　　今日宣布，兆易创新GigaDevice率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度仅为0.4mm，容量高达128Mb，是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品，可在应对大容量代码存储需求的同时，提供极大限度的紧凑型设计自由。　　近年来，随着物联网、可穿戴、健康监护、网通等应用的快速发展，市场需求变化多样，不仅要在精致小巧的产品形态中提供丰富的功能，还要具有极低功耗，以保障产品的长时间工作。而SPI NOR Flash作为这些设备中重要的代码存储单元，需提供更小、更薄、更轻的产品选择来满足这些不断变化的应用需求。　　GD25LE系列SPI NOR Flash是兆易创新旗舰型低功耗产品，此次新推出的3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH产品延续了LE系列的优异性能，其最高时钟频率133MHz，数据吞吐量高达532Mbit/s，极大提升了客户的系统访问速度和开机效率，同时在4通道133MHz时，读功耗仅为6mA，与行业同类产品相比，降低了45%的功耗，有效延长设备的续航时间。并且，更为重要的是GD25LE128EXH实现了128Mb容量产品上的超小尺寸，此前，业界128Mb容量产品的主流封装为6mm×5mm×0.8mm WSON8，而GD25LE128EXH采用的3mm×3mm×0.4mm超小尺寸的新型封装，面积缩小达70%，厚度减薄50%，能够显著节省85%的空间体积，并节省材料成本。　　除了尺寸优势显著提升之外，3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH与64Mb及以下容量的3mm×4mm×0.6mm USON8封装产品引脚兼容，无需调整PCB布局即可快速升级容量至128Mb，对于不同容量需求的方案，进一步简化了其兼容性要求的设计。　　兆易创新存储事业部执行总监陈晖先生表示：“作为业界领先的Fabless芯片供应商，兆易创新不仅是创新技术的提倡者，同时也是先进技术的践行者。此次率先推出超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的128Mb SPI NOR Flash，完美匹配了业界对小型化和高集成度的要求，并且基于此封装技术落地的首款产品GD25LE128EXH所具备的低功耗特性也使其适用于任何以电池供电的产品设计中。未来随着智能设备的不断升级，兆易创新预见大容量、小尺寸、低功耗的SPI NOR Flash产品将持续被业界需要。针对这一趋势，公司正在规划通过先进封装和存储技术开发其它容量、更小尺寸的存储产品，为客户提供更多样化的选择。”　　GD25LE128EXH现已量产，如有需求请联系AMEYA360电子元器件采购网或直接后台私信留言。
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发布时间：2023-05-16 10:28 阅读量：2021 继续阅读>>
关于<span style='color:red'>NOR Flash</span>的介绍
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关于NOR Flash的介绍

　　相对于硬件工程师和嵌入式软件工程师一般在完成设计之后常常需要验证FLASH是否在工作。在应用当中，也有很多时候需要对FLASH进行写操作。今天Ameya360电子元器件采购网给大家简单介绍了基于ARM芯片的NOR FLASH烧写，并提供了2个具体的实例和源代码，希望对有需要的朋友有点帮助。在开始之前，先声明一下，这篇文章只是介绍了如何写 NOR FLASH 的烧写驱动，和H-JTAG/H-FLASHER没有直接的联系。　　在后面的介绍里，如无特别说明，处理器指的是 ARM 处理器，FLASH 指的都是 NOR FLASH。另外，BYTE 指的是8-BIT的数据单元，HALF-WORD代表的是16-BIT的数据单元，而WORD 则代表了32-BIT的数据单元。　　1. NOR FLASH 的简单介绍　　NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH支持Execute ON Chip，即程序可以直接在FLASH片内执行。这点和NAND FLASH不一样。因此，在嵌入是系统中，NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质。　　NOR FLASH的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。从支持的最小访问单元来看，NOR FLASH一般分为 8 位的和16位的(当然，也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式，具体的工作模式通过特定的管脚进行选择) 。       对8位的 NOR FLASH芯片，或是工作在8-BIT模式的芯片来说，一个地址对应一个BYTE(8-BIT)的数据。例如一块8-BIT的NOR FLASH，假设容量为4个 BYTE。那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号，A1-A0。地址0x0对应第0个 BYTE，地址0x1对应于第1BYTE，地址0x2对应于第2个 BYTE，而地址0x3则对应于第3 个BYTE对16位的 NOR FLASH芯片，或是工作在16-BIT模式的芯片来说，一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据。       例如，一块16-BIT的 NOR FLASH，假设其容量为4个BYTE。那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0。地址 0x0对应于芯片内部的第0个 HALF-WORD，地址0x1对应于芯片内部的第1个 HALF-WORD。 FLASH一般都分为很多个SECTOR，每个SECTOR包括一定数量的存储单元。对有些大容量的FLASH，还分为不同的BANK，每个BANK包括一定数目的SECTOR。FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR，BANK或是整片FLASH为单位的。　　在对FLASH进行写操作的时候，每个BIT可以通过编程由1变为0，但不可以有0修改为1。为了保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作。擦除操作会把FLASH的一个SECTOR，一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为0xFF。这样，写操作就可以正确完成了。　　2. ARM 处理器的寻址　　ARM 可以说是目前最流行的32位嵌入式处理器。在这里只提一下 ARM 处理器的寻址，为后面做个铺垫。从处理器的角度来看，系统中每个地址对应的是一个BYTE的数据单元。这和很多别的处理器都是一样的。　　3. 处理器和 NOR FLASH 的硬件连接　　从前面的介绍，我们知道从处理器的角度来看，每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元。而，NOR FLASH 的每个地址有可能对应的是一个BYTE的数据单元，也有可能对应的是一个HALF-WORD的数据单元。所以在硬件设计中，连接ARM处理器和 NOR FLASH时，必须根据实际情况对地址信号做特别的处理。　　如果ARM处理器外部扩展的是8-BIT的NOR FLASH， 数据线和地址线的连接应该如图1所示。 从图中我们可以看到，处理器的数据信号D0-D7和 FLASH的数据信号D0-D7是一一对应连接的，处理器的地址信号A0-An和NOR FLASH的地址信号A0-An 也是一一对应连接的。
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发布时间：2022-09-14 13:31 阅读量：2562 继续阅读>>
兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI <span style='color:red'>NOR Flash</span>产品系列
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兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

    兆易创新今日宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平，在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。    随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求，这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求，希望进一步提升产品的续航能力。    从系统设计层面来看，一些先进工艺器件的工作电压已低至1.2V，如果所需的Flash可支持1.2V的电压操作，这对于主控而言，将能够有效简化电源设计并优化系统成本。    应此需求，兆易创新推出了GD25UF产品系列，该系列工作电压可扩展至1.14~1.6V，具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量选择，能够满足智能设备所需的代码存储要求。    在读写性能方面    GD25UF最高时钟频率STR 120MHz，DTR 60MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年。    在安全性方面    该产品具有128bit Unique ID来实现加密效果，为应用带来高安全保障。    同时，为进一步满足低功耗的需求，GD25UF产品系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode两种工作模式。在Normal Mode下，器件读取电流在四通道120MHz的频率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件读取电流在四通道1MHz频率下低至0.5mA，擦写电流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。    相比于1.8V供电的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同电流情况下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同频率下的功耗降低了70%，有效延长了设备的续航时间。    另外GD25UF系列产品的供电电压支持1.14~1.6V的宽电压范围，可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并且该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封装，全温度工作范围覆盖-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。    兆易创新存储器事业部执行总监陈晖先生表示：    “GD25UF系列产品进一步丰富了兆易创新的Flash Memory产品线。其具备的1.2V低电压和超低功耗模式可以帮助小容量电池供电设备提高续航能力，即使在不可避免的电池衰减过程中，也可以保持出色且稳定的运行状态，增加应用的可靠性。如今，电池续航能力已经成为消费者选购产品的重要指标，GD25UF系列产品的问世会是下一代可穿戴设备的理想选择。作为国内外鲜少拥有1.2V SPI NOR Flash产品线的企业，兆易创新走在了需求前端，为下一代应用的设计开发缓解了压力，从一定程度上缩短了客户的研发成本，让他们能够在日益激烈的市场竞争中保持领先地位。”    目前，兆易创新GD25UF系列可提供64Mb容量样品，更多容量产品将陆续推出，客户可在下方留言咨询！
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发布时间：2022-08-19 13:54 阅读量：3081 继续阅读>>
兆易创新推出1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI <span style='color:red'>NOR Flash</span>产品系列问世
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兆易创新推出1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列问世

      半导体器件供应商兆易创新GigaDevice推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封装，厚度仅为0.4mm，在如此紧凑、轻薄的空间内，其功耗、电压范围等方面均实现了进一步提升，为消费电子、可穿戴设备、物联网以及便携式健康监测设备等对电池寿命和紧凑型设计有着严苛需求的应用提供了理想选择。　　如今，随着5G、物联网、AI等技术的不断迭代，在笔记本摄像头、智能遥控器、智能健康手环等采用电池供电的应用场景中，兆易创新对“小而精”的追求从未停止，这对应用其中的存储产品提出了更高的要求。一方面，需要提供足够的代码存储空间来满足设备正常运行需求；另一方面，也需要在尺寸和功耗方面追求精益求精，以适应电子设备日益小型化的趋势。　　针对这一市场需求，兆易创新推出的GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列采用仅为1.2mm×1.2mm的超小型USON6封装，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封装产品，缩小了高达36%的占板面积，为空间受限的产品提供了更大的设计自由度。在低功耗设计方面，兆易创新将GD25WDxxK6系列的功耗控制在极低水平内，在待机状态下，电流仅为0.1μA，可显著延长电子设备的电池寿命。　　此外，为满足便携式电子产品的存储需求，GD25WDxxK6提供单通道、双通道SPI模式，具有1.65V~3.6V宽电压工作范围，支持512Kb~4Mb不同容量的选择，时钟频率可达104MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年，且全系列支持-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃温度范围。　　兆易创新存储事业部执行总监陈晖先生表示：“随着万物互联时代下的数据狂潮席卷而来，电子设备对于存储产品不断发出挑战，而兆易创新要做的就是从挑战中寻求突破。此次推出的1.2mm×1.2mm的超小型USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash，在方寸之间实现了优异性能。从小尺寸到低功耗，兆易创新从用户需求出发，不断推陈出新，再次将我们‘创新’的DNA发挥得淋漓尽致。”
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发布时间：2022-07-26 09:46 阅读量：3145 继续阅读>>
兆易创新进入三星产业链,<span style='color:red'>NOR Flash</span>获Galaxy S9采用
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兆易创新进入三星产业链,NOR Flash获Galaxy S9采用

大陆兆易创新序列式编码型快闪存储器(NOR Flash )成功打进三星 (Samsung)旗舰智能手机供应链，台湾厂商表示，目前NOR Flash市况依然稳定，并未受到影响。中国大陆厂商对市况的影响，是市场对今年NORFlash发展最关注的焦点。旺宏曾多次表示，今年高容量的高端产品仍将持续缺货，中国大陆厂商新产能开出的产品则不缺货。据拆解网站iFixit拆解报告指出，兆易创新成功打进三星旗舰智能手机供应链，32Mb的序列式NOR Flash获三星的Galaxy S9采用。市场关注，兆易创新NOR Flash在获得三星肯定采用后，是否会增强NOR Flash市场的竞争态势，进而影响市场秩序。业者表示，目前NOR Flash市况依然稳定，并未发现兆易创新有增强竞争的情况。
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发布时间：2018-04-03 00:00 阅读量：1664 继续阅读>>
中芯长电大量采购爱德万设备,抢攻<span style='color:red'>NOR Flash</span>
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中芯长电大量采购爱德万设备,抢攻NOR Flash

NOR Flash产业供需持续维持健康水准，继旺宏、华邦电等台系业者2017年营运翻红，后段封测的华东、菱生、南茂等也抢下不少NOR Flash封测订单，大陆相关封测业者也看中NOR Flash商机，中芯与长电合资的封测业者中芯长电首度向测试设备大厂爱德万采购NOR Flash测试设备，熟悉测试设备业者表示，存储器产业复苏的力道，可望持续3~5年。 中芯长电为中芯国际携手长电科技于2014年8月合资成立，获得集成电路产业投资基金与高通(Qualcomm)旗下子公司Qualcomm Global Trading Pte Ltd.的投资，从先进12吋凸块与晶圆测试起家，提供中段晶圆制造与测试服务，并拓展3D IC业务。 测试设备大厂爱德万测试与中段制程(MEOL)测试厂中芯长电正式签订大量采购合约。据此合约，中芯长电将自爱德万测试购入大量的存储器测试系统T5830，用于测试串列周边介面(SPI)NOR Flash设备，看好有机发光二极体(OLED)与触控面板感应芯片(TDDI)迅速成长的带动下，SPI NOR Flash设备需求持续走强。 尽管NOR Flash一度是国际大厂淡出的领域，2016年在NAND Flash的挤压下，NOR Flash市占率一度不到NAND Flash 10%，但国际大厂退出后，产能缺口则由台系业者补上，目前包括数码相机、游戏机、移动设备仍需要NOR Flash支持，而今年OLED面板移动设备除了三星电子外，又加上苹果(Apple)iPhone X跟进，另外TDDI芯片也随着台IC设计大厂逐步放量，NOR Flash供需持续紧张，而今年消费电子产品中推动NOR Flash大缺货的杀手级商品，更包括全球热卖的任天堂Switch游戏机，存储器业者认为，NOR Flash至少到明年上半，缺货状况恐怕都不会缓解，华邦电、旺宏今年产能也都已经被包下。 爱德万将供应中芯长电T5830存储器测试机，主力测试产品包括各类移动电子设备的各式存储器，提供最佳化的低成本大量测试能力，T5830系统能执行晶圆测试并为低脚位到高脚位IC提供最终测试。T5830系统资料传输速度最快可达800 Mbps，并能在配置4个数字脚位情况下，同时测试多达2304个设备。除了测试NOR Flash设备外，T5830系统也支持NAND Flash设备、智能卡、单列直插式存储器(SIM)、电子抹除式可复写唯读存储器(EEPROM)以及其他嵌入式存储器。
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发布时间：2017-12-15 00:00 阅读量：1282 继续阅读>>
获中芯国际2.5万片/月产能力挺,兆易创新<span style='color:red'>NOR Flash</span>增产全球30%
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获中芯国际2.5万片/月产能力挺,兆易创新NOR Flash增产全球30%

大陆NOR芯片供应龙头兆易创新，获当地晶圆代工一哥中芯国际力挺，全力抢进NOR Flash生产，中芯承诺每月提供兆易创新2.5万片产能、占全球NOR供应量近三成的规模，大举拓展大陆NOR Flash版图。 中芯力挺兆易创新，大举开出产能，为正处于缺货的NOR产业，投下一颗震撼弹，牵动旺宏、华邦电等台厂神经。 存储器厂商透露，兆易创新新增产能预定在明年第1季陆续投片，加计台湾主要供应商旺宏和华邦电，以及晶豪科等，也都同步增产抢食商机，恐让NOR芯片明年首季再掀价格战，其中尤期是中低容量产品，竞争压力加大。 台湾厂商也嗅到相关威胁，旺宏董事长吴敏求日前法说会上，释出本季“还看不太清楚”的讯息，指的就是NOR市场将遭大陆新增产能干扰的问题，预估低阶市场将先受到冲击。旺宏当时强调，该公司近年在品质和服务扎好基础，同时提升高阶产品比重，预料冲击有限。 NOR芯片在全球两大供应商赛普拉斯半导体（Cypress）和美光（Mircon）相继宣布淡出，但终端需求大开下，今年大缺货，报价翻涨，年初以来每季均涨价，应用在汽车和商务型电脑的高阶产品更是大排长龙。 NOR大缺货，大陆厂商格外眼红，全球第四大、大陆最大NOR存储器供应商兆易创新，今年6月即积极想扩大NOR产出，但碍于矽晶圆缺货，中芯无力支援，武汉新芯也转向全力支援自家生产，使得兆易创新到处碰壁，增产数量有限。 不过，官方全力发展存储器的政策方针，为兆易创新打开新机。业界透露，兆易创新获中芯力挺，中芯承诺以每月提供2.5万片产能给兆易创新，为其代工生产NOR存储器，以目前全球NOR存储器每月产量约8.8万片计算，增产的数量近三成之多。 加上台湾两大厂旺宏和华邦电也都同步增产NOR芯片，以存储器代工为主的力晶，也宣布将配合晶豪科，重启NOR产能，相关产能陆续到位，若加上武汉新芯也大举投入，都为原本供不应求的NOR型快闪存储器，投下新变数。 台湾两大供应商也加入扩产。华邦电宣布，中科厂预定今年底月产能将由4. 4 万片，增至4.8万片，未来将再增加到5.2万至5.3万片，必要时可再增至5.5万片时，新增主要增产NOR芯片；旺宏下半年将高阶产品移至12吋生产更新的制程生产。
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发布时间：2017-11-14 00:00 阅读量：2191 继续阅读>>
iPhone X 增产35%-45%,华邦电<span style='color:red'>NOR Flash</span>产能全被包下
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iPhone X 增产35%-45%,华邦电NOR Flash产能全被包下

凯基投顾分析师郭明錤（Ming-Chi Kuo）上周末发布报告指出，iPhone X先前遭遇的产出瓶颈已全部克服，苹果与供应商正努力提高本季iPhone X产出至2600万支左右。 整体来看，郭明錤推估本季iPhone产出将比前季增加35%-45%，理由是iPhone X推出后大受市场好评，加上中国农历年前备货需求。 另一方面，郭明錤预期iPhone 8本季产出可能大减五至六成，原因是大一号的iPhone 8 Plus动能较预期强劲，恐侵蚀到原属于iPhone 8的需求。在此状况下，iPhone 8代工厂部分产线将改产iPhone X，以助平衡市场供需。 苹果似乎也看到最高端iPhone X的需求强劲，不仅预期本季营收介于840-870亿美元之间，且获利可能是史上最好。除此之外，郭明錤进一步看好iPhone X销售动能有望延续至2018年。 而据供应链消息，苹果已要求零组件供应商扩大供货，存储器厂华邦电受惠于NORFlash打进iPhoneX及AppleWatch供应链，第四季接单满载。 据业界消息指出，华邦电第四季开始NORFlash每月产能增加4000～5000片投片量，但新增产能已全数被苹果包下。 法人表示，苹果iPhoneX大卖，AppleWatchSeries3销售情况亦优于预期，近期要求所有零组件供应商积极备货提高库存，华邦电第四季新增的NOR Flash产能等于已被苹果包下，明年上半年产能也几乎全部卖光。
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发布时间：2017-11-14 00:00 阅读量：1494 继续阅读>>

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